【问题】 IGBT是电力MOSFET和()的复合器件,因而具有良好的特性。A.晶闸管B.GTRC.GTOD.二极管
IGBT是电力MOSFET和()的复合器件,因而具有良好的特性。A.晶闸管B.GTRC.GTOD.二极管
正确答案:B.GTR
题目解析:本题出自西安理工大学,西安理工大学电力电子技术,由丰阳塔题库搜集整理。
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