【问题】 IGBT是电力MOSFET和()的复合器件,因而具有良好的特性。A.晶闸管B.GTRC.GTOD.二极管

IGBT是电力MOSFET和()的复合器件,因而具有良好的特性。A.晶闸管B.GTRC.GTOD.二极管

正确答案:B.GTR

题目解析:本题出自西安理工大学,西安理工大学电力电子技术,由丰阳塔题库搜集整理。